Компанії Ferroelectric Memory Co. (FMC) та Neumonda розпочали співпрацю для випуску енергонезалежної пам’яті DRAM+. Розробка поєднує швидкість класичної DRAM із можливістю зберігати дані без живлення, характерної для SSD.
Основою технології став фероелектричний оксид гафнію (HfO₂), який замінив традиційні конденсатори в осередках пам’яті. Це дозволило зберегти високу продуктивність DRAM, але усунула необхідність постійної подачі енергії для утримання інформації. Раніше схожі рішення використовували титанат цирконату свинцю (PZT), проте вони не підходили для сучасних мікросхем через складності мініатюризації та високу вартість інтеграції у виробничі процеси.
HfO₂, на відміну від PZT, сумісний із стандартними напівпровідниковими технологіями, включаючи техпроцеси менше 10 нм. Це відкриває шлях до створення чіпів об’ємом у кілька гігабайт, що робить DRAM+ конкурентом звичайної пам’яті за щільністю розміщення даних. Для тестування новинки Neumonda надасть спеціалізовані платформи Rhinoe, Octopus та Raptor. Вони відрізняються низьким енергоспоживанням та здатністю проводити детальний аналіз, недоступний для стандартного обладнання.
Першими сферами застосування DRAM+ можуть стати автомобільна електроніка, медичні пристрої та системи машинного навчання. Розробники підкреслюють, що технологія вимагає перебудови існуючих виробничих ліній, що спростить її використання.
