Група дослідників з Китаю оголосила про створення прототипу енергонезалежної пам’яті, яка перевищує за швидкістю існуючі аналоги у 100 тисяч разів. Результати роботи, опубліковані в журналі Nature, описують технологію, здатну виконувати операції запису та читання за 0,4 наносекунди. Для порівняння: це у десятки тисяч разів швидше, ніж у сучасних кеш-чіпів на основі SRAM.
Основою розробки стали двовимірні матеріали – графен та диселенід вольфраму (WSe₂). Їхні унікальні властивості дозволили подолати фізичні обмеження кремнієвих транзисторів, які не змінювалися принципово з 1960-х років. У традиційних системах швидкість обмежена необхідністю розгону електронів за допомогою електромагнітного поля. У новій пам’яті частки поводяться як безмасові, що різко знижує енерговтрати та прискорює передачу даних.
Прототип має скромну ємність — близько 1 КБ, але демонструє вражаючу надійність: понад 5,5 млн. циклів перезапису без деградації. Вчені відзначають, що ключовим завданням зараз є масштабування технології. Протягом п’яти років вони планують збільшити обсяг пам’яті до десятків мегабайт та розпочати комерційне виробництво.
Розробка ведеться з 2015 року. 2021-го було запропоновано теоретичну модель, а 2024-го створено перший чіп із довжиною каналу 8 нм, що майже вдвічі менше межі для кремнієвих аналогів. За словами дослідників, впровадження таких накопичувачів може скоротити енергоспоживання процесорів та прискорити виконання завдань у нейромережах, де критично важлива швидкість обробки даних.
